მეორადი მყარი შენადნობების მაღალტემპერატურული დამუშავების პროცესი

მყარი შენადნობების მაღალტემპერატურული დამუშავება ხორციელდება სპეციალურად შექმნილ მაღალტემპერატურულ ღუმელში. ნარჩენების შენადნობები ექვემდებარება მაღალტემპერატურულ დამუშავებას 1800℃-ზე ზემოთ დამცავ გაზის ატმოსფეროში. ამ პროცესის დროს, შემკვრელად გამოყენებული კობალტი თხევადდება და დუღს, რაც იწვევს შენადნობის დეფორმაციას და მისი მოცულობის მნიშვნელოვნად გაფართოებას. შენადნობის სტრუქტურა ხდება ფოროვანი და თაფლისებრი, რაც ხდის მძიმე შენადნობის გატეხვასა და დამუშავებას. მაღალტემპერატურული დამუშავების დროს შენადნობაში ჩნდება დიდი რაოდენობით თხევადი ფაზა, რაც აძლიერებს ატომების დიფუზიას და აძლიერებს WC-ის დაშლას და ნალექს. WC მარცვლები სწრაფად იზრდება, იზრდება 1-დან 2 მკმ-მდე ათობით ან თუნდაც ასობით მიკრომეტრამდე. უფრო მეტიც, WC-ის რეკრისტალიზაციის დროს აღმოიფხვრება მარცვლის სტრუქტურაში არსებული დეფექტები და WC კრისტალური სტრუქტურა უფრო სრულყოფილი ხდება. ამავდროულად, იშლება სხვა ლითონების, არამეტალური მინარევების და მავნე მინარევების კვალი, რომლებიც თავდაპირველად შეიცავდა შენადნობას.

შენადნობის მარცვლის ზომა სწრაფად იზრდება მაღალი ტემპერატურის დამუშავების ტემპერატურის მატებასთან ერთად. თუმცა, როდესაც დამუშავების ტემპერატურა მუდმივია, დამუშავების დროის გახანგრძლივება მნიშვნელოვან გავლენას არ ახდენს შენადნობის მარცვლის ზომის გაზრდაზე. შენადნობის მარცვლის ზომა იცვლება დამუშავების ტემპერატურისა და შენახვის დროის მიხედვით მაღალი ტემპერატურის დამუშავების შემდეგ. მაღალი ტემპერატურის დამუშავების პროცესის კონტროლის გასაღები არის დამუშავების ტემპერატურის კონტროლი. მაგრამ მკურნალობის ტემპერატურა სულაც არ არის, რაც უფრო მაღალია, მით უკეთესი. თუ დამუშავების ტემპერატურა ძალიან მაღალია, ეს პირველ რიგში იმოქმედებს მაღალტემპერატურული აღჭურვილობის მომსახურების ხანგრძლივობაზე; მეორეც, ეს გამოიწვევს შენადნობის ზედმეტად თხევად ფაზას, გაზრდის Co ფაზის აორთქლებას, WC ჩონჩხის კოლაფსს და შენადნობის ინტეგრირებას ჭურჭელთან, რაც ართულებს გაწმენდას და გატეხვას. ზოგადად, მაღალტემპერატურული დამუშავების პროცესი კონტროლდება დაახლოებით 2000℃ და მიზანშეწონილია გაჩერდეს 2 საათის განმავლობაში.